青島新聞網(wǎng)9月11日訊 9月10日，聚能晶源（青島）半導體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項目投產暨產品發(fā)布儀式”在青島市即墨區(qū)盛大舉行。青島市即墨區(qū)區(qū)長呂濤、青島城投集團董事長邢路正等出席。

據(jù)悉，該項目一期建成產能為年產1萬片6－8英寸GaN外延晶圓。聚能晶源項目是青島市重點項目，有望成為全球領先的GaN外延材料專業(yè)制造商。

耐威科技董事長楊云春表示，耐威科技自上市以來，積極在物聯(lián)網(wǎng)產業(yè)領域進行布局，重點發(fā)展MEMS和GaN業(yè)務。其中在GaN領域，耐威科技在即墨投資設立了聚能晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長；在嶗山投資設立了聚能創(chuàng)芯公司，專注GaN器件的開發(fā)設計。從入駐到項目建成投產，聚能晶源僅僅用了一年多的時間，離不開青島市與即墨區(qū)各級政府的大力支持與耐心指導。

聚能晶源總經(jīng)理袁理博士現(xiàn)場發(fā)布了多系列6－8英寸GaN外延晶圓產品，并對項目及產品做了相關介紹。其中，8英寸硅基氮化鎵外延晶圓與6英寸碳化硅基外延晶圓，可滿足下一代功率與微波電子器件對于大尺寸、高質量、高一致性、高可靠性氮化鎵外延材料的需求，為5G通訊、云計算、新型消費電子、智能白電、新能源汽車等領域提供核心元器件的材料保障。

“我們希望能以此為契機，積極把握第三代半導體產業(yè)的國產替代機遇，在青島繼續(xù)建設第三代半導體材料生產基地及器件設計中心，繼續(xù)為我國集成電路產業(yè)的發(fā)展貢獻自己的力量?！睏钤拼赫f。

據(jù)悉，聚能晶源項目掌握全球領先的8英寸硅基氮化鎵外延與6英寸碳化硅基外延生長技術。在功率器件應用領域，產品系列包括8英寸AlGaN／GaN－on－Si外延晶圓與8英寸P－cap AlGaN／GaN－on－Si外延晶圓。同時，聚能晶源將自有先進8英寸GaN外延技術創(chuàng)新性地應用在微波領域，開發(fā)出了兼具高性能與大尺寸、低成本、可兼容標準8英寸器件加工工藝的8英寸AlGaN／GaN－on－HR Si外延晶圓。在硅基氮化鎵之外，聚能晶源也擁有AlGaN／GaN－on－SiC外延晶圓產品線，滿足客戶在碳化硅基氮化鎵外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650／HVA700型8英寸AlGaN／GaN－on－Si外延晶圓產品為例。該型GaN外延晶圓具有高晶體質量、低表面粗糙度、高一致性的材料特點。同時具有低導通電阻、高耐壓、低漏電、耐高溫的電學特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圓具有優(yōu)秀的材料可靠性，根據(jù)標準TDDB測試方法，其在標稱耐壓值下的長時有效壽命達到了109小時，處于國際業(yè)界領先水平。采用聚能晶源的GaN外延晶圓，客戶在開發(fā)GaN器件時可實現(xiàn)高性能、高一致性、高良率、高可靠性等優(yōu)勢，幫助客戶搶占第三代半導體器件領域的競爭先機。